產(chǎn)品時(shí)間：2024-12-03
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廠商性質(zhì)：代理商
生產(chǎn)地址：
物理特性EPOCH650型儀器是一款輕重量、易攜帶的探傷儀，堅(jiān)固耐用、靈活變通，幾乎適用于任何檢測應(yīng)用。其主要物理特性如下：
標(biāo)準(zhǔn)套裝
|  |
| 儀器的輸入/輸出 | USB端口 | USB（OTG）端口 |
|---|---|---|
| RS-232端口 | 有 | |
| 視頻輸出 | 標(biāo)準(zhǔn)VGA輸出 | |
| 1個(gè)模擬輸出（可選），可選的1 V/10 V全標(biāo)度，最大4 mA | ||
| 報(bào)警輸出 | 3個(gè)報(bào)警輸出，5V TTL，10 mA | |
| 觸發(fā)器I/O | 觸發(fā)器輸入為5V TTL； 觸發(fā)器輸出為5V TTL，最大10 mA | |
| 編碼器輸入 | 單軸編碼器線（正交，僅適用于腐蝕模塊模式） | |
| 環(huán)境評級 | IP評級 | 根據(jù)IEC 60529-2004標(biāo)準(zhǔn)（外殼防護(hù)等級– IP規(guī)范），帶有瀏覽鍵區(qū)的儀器設(shè)計(jì)符合IP67侵入保護(hù)評級標(biāo)準(zhǔn)，帶有飛梭旋鈕的儀器設(shè)計(jì)符合IP66侵入保護(hù)評級標(biāo)準(zhǔn)。 在新開發(fā)的產(chǎn)品正式投入生產(chǎn)以前，奧林巴斯要對產(chǎn)品的設(shè)計(jì)進(jìn)行內(nèi)部檢驗(yàn)。這款儀器經(jīng)測試證明符合IP評級標(biāo)準(zhǔn)。 |
| 爆炸性氣氛 | 通過美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法511.4程序I中規(guī)定的測試，可在國家防火協(xié)會規(guī)范（NFPA 70）500節(jié)I級2分段D組中定義的爆炸性氣氛中安全操作。 | |
| 撞擊測試 | 通過了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法516.5程序I中規(guī)定的測試，每個(gè)軸6個(gè)循環(huán)，15g，11 ms半弦波。 | |
| 振動(dòng)測試 | 通過了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法514.5程序I附錄C圖6中的測試，一般暴露：每軸1小時(shí)。 | |
| 操作溫度 | –10°C ～ 50°C | |
| 電池存儲溫度 | 0°C ～ 50°C | |
| 一般規(guī)格 | 總體尺寸（寬 × 高 × 厚） | 236 mm × 167 mm × 70 mm |
| 重量 | 1.6公斤，包括鋰離子電池 | |
| 鍵區(qū) | 英文、國際符號、日文、中文 | |
| 語言 | 英語、西班牙語、法語、德語、日語、中文、葡萄牙語和俄語 | |
| 探頭連接 | BNC接口或 LEMO接口 | |
| 數(shù)據(jù)存儲 | 機(jī)載100000個(gè)ID編碼，可插拔2 GB microSD卡（標(biāo)準(zhǔn)） | |
| 電池類型 | 單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)充電鋰離子電池 | |
| 電池供電時(shí)間 | 15到16小時(shí)（鋰離子） | |
| 電源要求 | AC主電源：100 VAC ～ 120 VAC、200 VAC ～ 240 VAC，50 Hz ～ 60 Hz | |
| 顯示器類型 | 全VGA（640 × 480像素）透反彩色LCD，60 Hz更新速率 | |
| 顯示屏尺寸（寬 × 高，對角線） | 117 mm × 89 mm，146 mm（5.76 in.） | |
| 脈沖發(fā)生器 | 脈沖發(fā)生器 | 可調(diào)方波 |
| 脈沖重復(fù)頻率（PRF） | 10 Hz ～ 2000 Hz，增量為10 Hz | |
| 能量設(shè)置 | 100 V、200 V、300 V或400 V | |
| 脈沖寬度 | 25 ns ～ 5000 ns（0.1 MHz）范圍內(nèi)可調(diào)，利用PerfectSquare技術(shù) | |
| 阻尼 | 50、100、200、400 Ω | |
| 接收器 | 增益 | 0 ～ 110 dB |
| 最大輸入信號 | 20 V p-p | |
| 接收器輸入阻抗 | 400 Ω ± 5% | |
| 接收器帶寬 | 0.2 MHz ～ 26.5 MHz，–3 dB | |
| 數(shù)字式濾波器設(shè)置 | 30個(gè)標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字式濾波器設(shè)置 7個(gè)符合ISO-22232:2010標(biāo)準(zhǔn)的濾波設(shè)置（0.2-10 MHz、2.0-21.5 MHz、8.0-26.5 MHz、0.5-4 MHz、0.2-1.2 MHz、1.5-8.5 MHz和5-15 MHz） | |
| 檢波 | 全波、正半波、負(fù)半波、射頻波 | |
| 系統(tǒng)線性 | 水平：±0.5% FSW（滿屏寬） | |
| 分辨率 | 0.25%滿屏高，放大器精度為±1 dB | |
| 抑制 | 0 ～ 80%滿屏高，帶有可視警告 | |
| 波幅測量 | 0 ～ 110%滿屏高，分辨率為0.25% | |
| 測量速率 | 在所有模式下，相當(dāng)于脈沖重復(fù)頻率（PRF） | |
| 校準(zhǔn) | 自動(dòng)校準(zhǔn) | 聲速，零位偏移 垂直聲束（第一個(gè)底面回波，或回波到回波） 角度聲束（聲程或者深度） |
| 檢測模式 | 脈沖回波、一發(fā)一收或穿透 | |
| 單位 | 毫米、英寸或微秒 | |
| 范圍 | 3.36 mm ～ 13388 m，5900 m/s | |
| 聲速 | 635 m/s ～ 15240 m/s | |
| 零位偏移 | 0 µs ～ 750 µs | |
| 顯示延遲 | -59 mm ～ 13401 mm， 在鋼中縱波聲速下 | |
| 折射角度 | 0° ～ 90°，增量為0.1° | |
| 閘門 | 測量閘門 | ２個(gè)獨(dú)立的閘門，用于波幅和渡越時(shí)間（TOF）的測量 |
| 閘門起始 | 在整個(gè)顯示范圍內(nèi)可變 | |
| 閘門寬度 | 在從閘門起點(diǎn)到顯示范圍的終點(diǎn)之間的區(qū)域內(nèi)可變 | |
| 閘門高度 | 在2% ～ 95%滿屏高范圍內(nèi)可變 | |
| 報(bào)警 | 正閾值和負(fù)閾值，最小深度（閘門1和閘門2） | |
| 測量 | 測量顯示位置 | 5個(gè)位置（手動(dòng)或自動(dòng)選擇） |
| 閘門（1和2） | 厚度、聲程、投射、深度、波幅、渡越時(shí)間、最小/最大深度、最小/最大波幅 | |
| 回波到回波 | 標(biāo)準(zhǔn)閘門2到閘門1，可選界面閘門跟蹤 | |
| 其他測量 | DGS/AVG的上沖值（dB）、DGS/AVG的ERS（等效反射體大?。WS D1.1/D1.5的A、B、C和D值、抑制值、回波到參考dB值 | |
| DAC/TCG | 標(biāo)準(zhǔn) | |
| DAC點(diǎn) | 多達(dá)50個(gè)點(diǎn)，110 dB動(dòng)態(tài)范圍 | |
| 特殊DAC模式 | 自定義DAC（最多6條曲線），20-80%視圖 | |
| 曲面校正 | 用于角度聲束測量的標(biāo)準(zhǔn)外徑或棒材校正 | |
| 腐蝕（可選） | 交叉零點(diǎn)測量算法、V聲程校正、單一回波、回波到回波、編碼B掃描 |
如果您在爆炸性環(huán)境中工作，那么您可以使用EPOCH 650 Ex探傷儀，因?yàn)檫@款探傷儀符合《防爆指令》中的要求。要了解更多信息，請閱讀有關(guān)《防爆指令》的常見問題解答。
• EP650-TEMPLATE (Q1400002)：模板存儲
• EP650-API5UE (Q1400003)：API 5UE缺陷定量
• EP650-AVERAGE (Q1400004)：波形平均
• EP650-IG (Q1400005)：界面閘門
• EP650-BEA (Q1400006)：底面回波衰減器（BEA）
• EP650-CORRSN (Q1400001)：腐蝕模塊（包含編碼B掃描）
• 600-BAT-L-2 (U8760058)：充電鋰離子電池
• EP4/CH (U8140055)：胸掛帶
• 600-TC (U8780294)：運(yùn)輸箱
• CBAS-10668-0060 (Q7790012)：RS232通信線
• DSUB-HD15-6 (U8780333)：數(shù)字輸出線
• 600-C-VGA-5 (U8780298)：VGA輸出線
• MICROSD-ADP-2GB (U8779307)：2 GB microSD存儲卡
• 600-SC-K (U8780334)：軟便攜袋（飛梭旋鈕機(jī)型）
• 600-SC-N (U8779879)：軟便攜袋（瀏覽鍵區(qū)機(jī)型）
• N600-EXTALM (U8780332)：外置報(bào)警蜂鳴器
• CBAS-10669-0010 (Q7790008)：B掃描小車形編碼器電纜（10英尺，還可提供其他長度的電纜）
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